品牌：西门康

参数 ： 150A 1200V

产地 ：德国

　　制造商Infineon产品种类IGBT 模块RoHS是产品IGBT Silicon Modules配置Hex集电极—发射极电压 VCEO600 V集电极—射极饱和电压2.45 VContinuous Collector Current at 25 C50 A栅极—射极漏泄电流300 nA功率耗散180 W工作温度+ 125 C封装 / 箱体EconoPIM2栅极/发射极电压+/- 20 V工作温度- 40 C安装风格Screw标准包装：500 IGBT介绍IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极晶体管是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。

　　多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照像机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO－3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD （FleeWheelDiode）成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。

　　IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化 IGBT驱动器的原理图。

　　以上就是SKM300GAR12E4德国西门康IGBT模块新上产品，我公司提供巴斯曼Bussmann、英飞凌infineon、西门康、西门子Siemens、三社、艾赛斯、日之出、富士等厂家熔断器、可控硅晶闸管、IGBT模块、二极管整流桥的半岛体模块，欢迎来电咨询。